北京大學AM：橫向相異質結micro-PeLED鈣鈦礦微光電器件

主要內容

鈣鈦礦異質結工程是制備微光電器件的先決條件，但仍存在不足，目前的自上而下或自下而上技術主要集中在制備垂直異質結堆疊。鈣鈦礦橫向異質結結構一般依賴外延生長，無法滿足微器件量產的需求。

在這篇文章中，北京大學物理學院朱瑞、王新強、楊曉宇等人提出了一種接觸擴散光刻技術，通過離子驅動局部相變來展示鈣鈦礦橫向相異質結（LPH）多晶薄膜。在熱力學模擬的指導下，甲胺的接觸和遷移共同促進了α-相甲脒基鈣鈦礦結構的原位形成，而α-相甲脒基鈣鈦礦被δ相多晶包圍。